English
China
Rusia
Italy
Germany2SA1253T-SPA-SY
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SA1253T-SPA-SY
Explicación
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250MHz Through Hole 3-SPA
Fabricación
Sanyo
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,664
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Sanyo
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
250MHz
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
3-SSIP
Supplier Device Package
3-SPA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
2156-2SA1253T-SPA-SY
ONSSNY2SA1253T-SPA
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Sanyo 2SA1253T-SPA-SY
Documentos y medios de comunicación
-
Cantidad y precio
Cantidad: 2664
Precio unitario: $0.11
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 2664
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 2664
Alternativas
-