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GermanyUG06BHA1G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
UG06BHA1G
Explicación
DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1
Descripción detallada
Diode 100 V 600mA Through Hole TS-1
Fabricación
Taiwan Semiconductor Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tape & Box (TB)
Product Status
Active
Technology
Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
100 V
Current - Average Rectified (Io)
600mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
950 mV @ 600 mA
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
15 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr
5 µA @ 100 V
Capacitance @ Vr, F
9pF @ 4V, 1MHz
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
T-18, Axial
Supplier Device Package
TS-1
Operating Temperature - Junction
-55°C ~ 150°C
Base Product Number
UG06
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Diodes/Rectifiers/Single Diodes/Taiwan Semiconductor Corporation UG06BHA1G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(UG06A - UG06D)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(UG06A - UG06D)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-