English
China
Rusia
Italy
GermanyIXFN100N20
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXFN100N20
Explicación
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
Descripción detallada
N-Channel 200 V 100A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
520W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
IXFN100
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFN100N20
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IXFK90N20, IXFN(100,106)N20)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult DEV EOL/OBS 08/Nov/2023)
HTML Datasheet
1(IXFK90N20, IXFN(100,106)N20)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IXFN140N20P
Fabricante : IXYS
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $28.12000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $28.12000
Tipo de reemplazo : Similar