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GermanyIRFR9N20DTRL
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFR9N20DTRL
Explicación
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
86W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
-
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFR9N20DTRL
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFR9N20D, IRFU9N20D)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFR9N20D, IRFU9N20D)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : STD7NS20T4
Fabricante : STMicroelectronics
Cantidad disponible : 2,512
Precio unitario : $1.55000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,512
Precio unitario : $1.55000
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