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GermanyFQU5N60CTU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQU5N60CTU
Explicación
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descripción detallada
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
695
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Otros nombres
2156-FQU5N60CTU
FAIFSCFQU5N60CTU
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQU5N60CTU
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 695
Precio unitario: $0.43
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 695
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 695
Alternativas
-