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GermanyPDTD123YT/APGR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PDTD123YT/APGR
Explicación
TRANS PREBIAS NPN 50V 500MA
Descripción detallada
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 250 mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Fabricación
Nexperia USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
8,876
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Nexperia USA Inc.
Series
PDTD123Y
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
Power - Max
250 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT23-3 (TO-236)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
NEXNEXPDTD123YT/APGR
2156-PDTD123YT/APGR-NEX
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Nexperia USA Inc. PDTD123YT/APGR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PDTD123YT/APGR Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 8876
Precio unitario: $0.03
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 8876
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 8876
Alternativas
-