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GermanyTP65H150LSG
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
TP65H150LSG
Explicación
GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Descripción detallada
N-Channel 650 V 15A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Fabricación
Transphorm
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
60
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Transphorm
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
576 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
69W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
3-PQFN (8x8)
Package / Case
3-PowerDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Transphorm TP65H150LSG
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(TP65H150LSG)
PCN Obsolescence/ EOL
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : TP65H150G4LSG
Fabricante : Transphorm
Cantidad disponible : 2,884
Precio unitario : $5.06000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,884
Precio unitario : $5.06000
Tipo de reemplazo : Similar