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GermanyBSO215C
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSO215C
Explicación
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SO
Descripción detallada
Mosfet Array 20V 3.7A 2W Surface Mount 8-SO
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
SIPMOS®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
246pF @ 25V
Power - Max
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Base Product Number
BSO215
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSO215CINCT
BSO215CINTR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies BSO215C
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSO215C)
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Featured Product
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HTML Datasheet
1(BSO215C)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-