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GermanyIRFR210
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFR210
Explicación
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount DPAK
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
-
Base Product Number
IRFR210
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFR210
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210)
HTML Datasheet
1(IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFR210PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 14,031
Precio unitario : $37.00000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 14,031
Precio unitario : $37.00000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent