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GermanyFDP120AN15A0
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDP120AN15A0
Explicación
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220
Descripción detallada
N-Channel 150 V 2.8A (Ta), 14A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FDP120AN15A0 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.8A (Ta), 14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
770 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
65W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Base Product Number
FDP120
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDP120AN15A0
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDP,FDD120AN15A0)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
HTML Datasheet
()
EDA Models
1(FDP120AN15A0 Models)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : RCX120N25
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $219.83000
Tipo de reemplazo : Direct
Cantidad disponible : 0
Precio unitario : $219.83000
Tipo de reemplazo : Direct