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GermanyBD537J
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BD537J
Explicación
TRANS NPN 80V 8A TO220-3
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 8 A 12MHz 50 W Through Hole TO-220-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
BD537J Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 2A, 2V
Power - Max
50 W
Frequency - Transition
12MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220-3
Base Product Number
BD537
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi BD537J
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BD533/535/537)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
PCN Design/Specification
1(Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007)
HTML Datasheet
()
EDA Models
1(BD537J Models)
Product Drawings
1(TO220B03 Pkg Drawing)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-