Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFM220BTF
Explicación
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descripción detallada
N-Channel 200 V 1.13A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
951
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 570mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
390 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.4W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223-4
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2156-IRFM220BTF
FAIFSCIRFM220BTF

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor IRFM220BTF

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 951
Precio unitario: $0.32
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 951

Alternativas

-