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GermanyNDD03N50Z-1G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NDD03N50Z-1G
Explicación
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 58W (Tc) Through Hole I-PAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
274 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
58W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
NDD03
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
NDD03N50Z-1G-ND
NDD03N50Z-1GOS
NDD03N50Z1G
2156-NDD03N50Z-1G-ON
ONSONSNDD03N50Z-1G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NDD03N50Z-1G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NDD03N50Z)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 24/Jul/2015)
HTML Datasheet
1(NDD03N50Z)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : AOU3N50
Fabricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Cantidad disponible : 916
Precio unitario : $0.66000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 916
Precio unitario : $0.66000
Tipo de reemplazo : Similar