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GermanyIPS80R2K4P7AKMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPS80R2K4P7AKMA1
Explicación
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO251-3
Descripción detallada
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ P7
Package
Tube
Product Status
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 500 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
22W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPS80R2
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001644624
IFEINFIPS80R2K4P7AKMA1
2156-IPS80R2K4P7AKMA1
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPS80R2K4P7AKMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPS80R2K4P7)
HTML Datasheet
1(IPS80R2K4P7)
Simulation Models
1(MOSFET CoolMOS™ P7 800V Spice Model)
Cantidad y precio
Cantidad: 1500
Precio unitario: $0.39608
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1500
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 1500
Alternativas
Modelo de producto : IPU80R2K4P7AKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,339
Precio unitario : $0.93000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 1,339
Precio unitario : $0.93000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent