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GermanyFDG316P
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDG316P
Explicación
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC88
Descripción detallada
P-Channel 30 V 1.6A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
165 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
750mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SC-88 (SC-70-6)
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Base Product Number
FDG316
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
FDG316PDKR
FDG316PCT
FDG316PTR
FDG316P-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDG316P
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDG316P)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly/Test 9/Jan/2019)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(FDG316P)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : NTJS4151PT1G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 11,423
Precio unitario : $0.39000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 11,423
Precio unitario : $0.39000
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