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GermanyIXT-1-1N100S1-TR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IXT-1-1N100S1-TR
Explicación
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
Descripción detallada
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc)
Fabricación
IXYS
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
IXYS
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
-
Supplier Device Package
-
Package / Case
-
Base Product Number
IXT-1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXT-1-1N100S1-TR
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-