Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
AUIRF9Z34N
Explicación
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Descripción detallada
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
68W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

2166-AUIRF9Z34N-448
SP001521042

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRF9Z34N

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(AUIRF9Z34N)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(AUIRF9Z34N)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IRF9Z34NPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 80,241
Precio unitario : $0.93000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Modelo de producto : IRF9Z34PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 1,203
Precio unitario : $1.76000
Tipo de reemplazo : Similar