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Germany2SC3583-T1B-A
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
2SC3583-T1B-A
Explicación
2SC3583 - MD
Descripción detallada
RF Transistor NPN 10V 65mA 9GHz 200mW Surface Mount SOT23-3 (TO-236)
Fabricación
Renesas Electronics Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
666
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
10V
Frequency - Transition
9GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.2dB @ 1GHz
Gain
13dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 20mA, 8V
Current - Collector (Ic) (Max)
65mA
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package
SOT23-3 (TO-236)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Otros nombres
RENRNS2SC3583-T1B-A
2156-2SC3583-T1B-A
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SC3583-T1B-A
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(2SC3583-T1B-A Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 666
Precio unitario: $0.45
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 666
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 666
Alternativas
-