SI7615BDN-T1-GE3

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

SI7615BDN-T1-GE3

Explicación

MOSFET P-CH 20V 29A/104A PPAK

Descripción detallada

P-Channel 20 V 29A (Ta), 104A (Tc) 5.2W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Fabricación

Vishay Siliconix

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

3,000

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

Vishay Siliconix

Series

-

Package

Digi-Reel®

Product Status

Discontinued at allaboutcomponents.com

FET Type

P-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

29A (Ta), 104A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±12V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4890 pF @ 10 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

5.2W (Ta), 66W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Surface Mount

Supplier Device Package

PowerPAK® 1212-8

Package / Case

PowerPAK® 1212-8

Base Product Number

SI7615

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Otros nombres

742-SI7615BDN-T1-GE3TR

742-SI7615BDN-T1-GE3CT

742-SI7615BDN-T1-GE3DKR

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SI7615BDN-T1-GE3

Documentos y medios de comunicación

-

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

SI7615BDN-T1-GE3

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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