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GermanyFQAF19N20
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQAF19N20
Explicación
MOSFET N-CH 200V 15A TO3PF
Descripción detallada
N-Channel 200 V 15A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-3PF
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQAF19N20 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
85W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Base Product Number
FQAF1
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQAF19N20
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQAF19N20)
Environmental Information
1(onsemi RoHS)
HTML Datasheet
1(FQAF19N20)
EDA Models
1(FQAF19N20 Models)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-