Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SIJH440E-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Descripción detallada
N-Channel 40 V 200A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
50 Weeks
Modelo edacad
SIJH440E-T1-GE3 Models
Embalaje estándar
2,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET® Gen IV
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.96mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
195 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20330 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
158W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 8 x 8
Package / Case
PowerPAK® 8 x 8
Base Product Number
SIJH440

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SIJH440E-T1-GE3TR
SIJH440E-T1-GE3DKR
SIJH440E-T1-GE3CT

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIJH440E-T1-GE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SIJH440E)
PCN Assembly/Origin
1(Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023)
HTML Datasheet
1(SIJH440E)
EDA Models
1(SIJH440E-T1-GE3 Models)

Cantidad y precio

Cantidad: 6000
Precio unitario: $1.11181
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2000
Cantidad: 2000
Precio unitario: $1.15524
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 2000

Alternativas

-