Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
MJE200STU
Explicación
TRANS NPN 25V 5A TO126-3
Descripción detallada
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.8V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
45 @ 2A, 1V
Power - Max
15 W
Frequency - Transition
65MHz
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Supplier Device Package
TO-126-3
Base Product Number
MJE200

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/onsemi MJE200STU

Documentos y medios de comunicación

Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices EOL 12/Apr/2019)
PCN Design/Specification
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019)
PCN Packaging
1(Mult Devices 24/Oct/2017)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : MJE200G
Fabricante : onsemi
Cantidad disponible : 7,171
Precio unitario : $0.87000
Tipo de reemplazo : Direct