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GermanyFDD8778
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FDD8778
Explicación
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
Descripción detallada
N-Channel 25 V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
PowerTrench®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
845 pF @ 13 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
39W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
FDD877
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
FDD8778CT
FDD8778TR
FDD8778DKR
2156-FDD8778-OS
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FDD8778
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FDD8778/FDU8778)
Video File
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
Environmental Information
()
Featured Product
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev 13/Aug/2020)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(FDD8778/FDU8778)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPD135N03LGATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 6,806
Precio unitario : $0.84000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 6,806
Precio unitario : $0.84000
Tipo de reemplazo : Similar