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GermanyPMDPB95XNE,115
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PMDPB95XNE,115
Explicación
MOSFET 2N-CH 30V 2.4A 6HUSON
Descripción detallada
Mosfet Array 30V 2.4A 475mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
143pF @ 15V
Power - Max
475mW
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
6-HUSON (2x2)
Base Product Number
PMDPB95
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
2156-PMDPB95XNE115-NXTR
934067055115
568-10764-6
NEXNXPPMDPB95XNE,115
568-10764-1
568-10764-2
PMDPB95XNE,115-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/NXP USA Inc. PMDPB95XNE,115
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PMDPB95XNE)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(MCU Dip Supply Situation 12/May/2015)
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(PMDPB95XNE)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-