Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SI2301S-2.3A
Explicación
MOSFET SOT-23 P Channel 20V
Descripción detallada
P-Channel 20 V 2A (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Fabricación
MDD
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
6,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
MDD
Series
SOT-23
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3.3V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
225mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/MDD SI2301S-2.3A

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SOT2301SSA1SHB)
HTML Datasheet
1(SOT2301SSA1SHB)

Cantidad y precio

Cantidad: 6000
Precio unitario: $0.1655
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 6000

Alternativas

-