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GermanyIRFS31N20DTRR
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFS31N20DTRR
Explicación
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
82mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2370 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFS31N20DTRR
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D)
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFB31N20D, IRFS(L)31N20D)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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