English
China
Rusia
Italy
GermanyBSM180D12P2C101
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM180D12P2C101
Explicación
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Descripción detallada
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
17 Weeks
Modelo edacad
BSM180D12P2C101 Models
Embalaje estándar
12
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 10V
Power - Max
1130W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
BSM180
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Rohm Semiconductor BSM180D12P2C101
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSM180D12P2C101)
Other Related Documents
1(SiCPMCtype Inner Structure)
Product Training Modules
()
Video File
()
Environmental Information
()
Featured Product
()
HTML Datasheet
1(BSM180D12P2C101)
EDA Models
1(BSM180D12P2C101 Models)
Simulation Models
1(BSM180D12P2C101 Spice Model)
Reliability Documents
1(SiC PM Reliability Test)
Cantidad y precio
Cantidad: 10
Precio unitario: $454.409
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $472.16
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-