English
China
Rusia
Italy
GermanyPMN45EN,135
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PMN45EN,135
Explicación
MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
Descripción detallada
N-Channel 30 V 5.2A (Tc) 1.75W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,664
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
TrenchMOS™
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
495 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.75W (Tc)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
6-TSOP
Package / Case
SC-74, SOT-457
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Otros nombres
2156-PMN45EN135
NEXNXPPMN45EN,135
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PMN45EN,135
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PMN45EN,135)
Cantidad y precio
Cantidad: 1664
Precio unitario: $0.18
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1664
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 1664
Alternativas
-