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GermanyBSM180C12P2E202
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSM180C12P2E202
Explicación
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Descripción detallada
N-Channel 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) Chassis Mount Module
Fabricación
Rohm Semiconductor
Plazo de entrega estándar
17 Weeks
Modelo edacad
BSM180C12P2E202 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
204A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35.2mA
Vgs (Max)
+22V, -6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
20000 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1360W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
Module
Package / Case
Module
Base Product Number
BSM180
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor BSM180C12P2E202
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(BSM180C12P2E202)
Product Training Modules
()
Video File
()
Featured Product
()
EDA Models
1(BSM180C12P2E202 Models)
Cantidad y precio
Cantidad: 12
Precio unitario: $620.54417
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1
Cantidad: 1
Precio unitario: $644.78
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1
Embalaje: Tray
Multiplicador mínimo: 1
Alternativas
-