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GermanyNTD4857N-1G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
NTD4857N-1G
Explicación
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 25 V 12A (Ta), 78A (Tc) 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) Through Hole IPAK
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 78A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1960 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
IPAK
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Base Product Number
NTD48
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
ONSONSNTD4857N-1G
2156-NTD4857N-1G-ON
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTD4857N-1G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(NTD4857N)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 07/Jul/2010)
HTML Datasheet
1(NTD4857N)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : PHT6NQ10T,135
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Cantidad disponible : 4,931
Precio unitario : $0.83000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 4,931
Precio unitario : $0.83000
Tipo de reemplazo : Similar