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GermanyFQI3N30TU
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
FQI3N30TU
Explicación
MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
Descripción detallada
N-Channel 300 V 3.2A (Tc) 3.13W (Ta), 55W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Fabricación
Fairchild Semiconductor
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
606
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
230 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 55W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-FQI3N30TU-FS
FAIFSCFQI3N30TU
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQI3N30TU
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(FQI3N30TU)
Cantidad y precio
Cantidad: 606
Precio unitario: $0.5
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 606
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 606
Alternativas
-