Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IPU80R2K8CEAKMA1
Explicación
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Descripción detallada
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1,500
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
290 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
42W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO251-3
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IPU80R

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

INFINFIPU80R2K8CEAKMA1
2156-IPU80R2K8CEAKMA1
SP001593932

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPU80R2K8CEAKMA1

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(IPx80R2K8CE)
Other Related Documents
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx80R2K8CE)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : IPU80R2K4P7AKMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 1,339
Precio unitario : $0.93000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : TSM4NB65CH C5G
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Cantidad disponible : 10,528
Precio unitario : $1.02000
Tipo de reemplazo : Similar