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GermanyIRFD224
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFD224
Explicación
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Descripción detallada
N-Channel 250 V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
100
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
630mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
260 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFD224
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix IRFD224
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFD224)
HTML Datasheet
1(IRFD224)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRFD224PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 2,250
Precio unitario : $1.43000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent
Cantidad disponible : 2,250
Precio unitario : $1.43000
Tipo de reemplazo : Parametric Equivalent