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GermanyIRFHM831TR2PBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFHM831TR2PBF
Explicación
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Descripción detallada
N-Channel 30 V 14A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
400
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PQFN (3x3)
Package / Case
8-PowerTDFN
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
SP001572694
IRFHM831TR2PBFTR
IRFHM831TR2PBFDKR
IRFHM831TR2PBFCT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRFHM831PbF)
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Featured Product
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Cantidad y precio
-
Alternativas
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