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GermanyIPD50R1K4CEBTMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IPD50R1K4CEBTMA1
Explicación
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Descripción detallada
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™ CE
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
178 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
25W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO252-3
Base Product Number
IPD50R
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
IPD50R1K4CECT
IPD50R1K4CETR
IPD50R1K4CETR-ND
IPD50R1K4CECT-ND
IPD50R1K4CEDKR-ND
IPD50R1K4CEBTMA1CT
IPD50R1K4CEBTMA1DKR
INFINFIPD50R1K4CEBTMA1
IPD50R1K4CEDKR
2156-IPD50R1K4CEBTMA1-ITTR
IPD50R1K4CEBTMA1TR
SP000992072
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPD50R1K4CEBTMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IPx50R1K4CE)
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Cantidad y precio
-
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