Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
FQPF7N20
Explicación
MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Descripción detallada
N-Channel 200 V 4.8A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Fabricación
onsemi
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
FQPF7N20 Models
Embalaje estándar
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
690mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
37W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
FQPF7

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQPF7N20

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(FQPF7N20)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQPF7N20)
EDA Models
1(FQPF7N20 Models)

Cantidad y precio

-

Alternativas

Modelo de producto : RCX080N25
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 246
Precio unitario : $1.25000
Tipo de reemplazo : Direct
Modelo de producto : IRFU220PBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Cantidad disponible : 2,928
Precio unitario : $1.47000
Tipo de reemplazo : Similar
Modelo de producto : RCX081N20
Fabricante : Rohm Semiconductor
Cantidad disponible : 136
Precio unitario : $1.07000
Tipo de reemplazo : Similar