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GermanyIRFAC30
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRFAC30
Explicación
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Descripción detallada
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
Fabricación
International Rectifier
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
59
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
International Rectifier
Series
HEXFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
630 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
75W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-204AA (TO-3)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
2156-IRFAC30
IRFIRFIRFAC30
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/International Rectifier IRFAC30
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(Datasheet)
Cantidad y precio
Cantidad: 59
Precio unitario: $5.1
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 59
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 59
Alternativas
-