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GermanyIRLR024NPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRLR024NPBF
Explicación
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
480 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
45W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA (DPAK)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
64-4102PBF
SP001550522
64-4102PBF-ND
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRLR024NPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRLR024NPbF, IRLU024NPbF)
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PCN Design/Specification
1(Mult Dev Label Chgs 8/Sep/2021)
PCN Packaging
1(Barcode Label Update 24/Feb/2017)
HTML Datasheet
1(IRLR024NPbF, IRLU024NPbF)
Simulation Models
1(IRLR024NTRPBF Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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