Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
STL180N6F7
Explicación
MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
Descripción detallada
N-Channel 60 V 32A (Ta), 120A (Tc) 4.8W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
39 Weeks
Modelo edacad
STL180N6F7 Models
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
STMicroelectronics
Series
STripFET™ F7
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Ta), 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4825 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.8W (Ta), 166W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerFlat™ (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Base Product Number
STL180

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

497-19060-1
497-19060-2
497-19060-6

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STL180N6F7

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(STL180N6F7)
PCN Packaging
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML Datasheet
1(STL180N6F7)
EDA Models
1(STL180N6F7 Models)

Cantidad y precio

Cantidad: 6000
Precio unitario: $1.15551
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Cantidad: 3000
Precio unitario: $1.20064
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000

Alternativas

Modelo de producto : TPH2R306NH,L1Q
Fabricante : Toshiba Semiconductor and Storage
Cantidad disponible : 2,810
Precio unitario : $1.70000
Tipo de reemplazo : Similar