Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
STU12N60M2
Explicación
MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
Descripción detallada
N-Channel 600 V 9A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Fabricación
STMicroelectronics
Plazo de entrega estándar
52 Weeks
Modelo edacad
STU12N60M2 Models
Embalaje estándar
75
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
STMicroelectronics
Series
MDmesh™ M2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
538 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
85W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
STU12

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

497-16024-5
-497-16024-5

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STU12N60M2

Documentos y medios de comunicación

Product Training Modules
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN Assembly/Origin
1(Assembly Site 22/Nov/2022)
PCN Packaging
1(Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021)
HTML Datasheet
1(STU12N60M2)
EDA Models
1(STU12N60M2 Models)

Cantidad y precio

Cantidad: 3000
Precio unitario: $0.73479
Embalaje: Tube
Multiplicador mínimo: 3000

Alternativas

Modelo de producto : IPS80R600P7AKMA1
Fabricante : Rochester Electronics, LLC
Cantidad disponible : 2,980
Precio unitario : $0.76000
Tipo de reemplazo : Similar