NE3515S02-T1D-A

Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante

NE3515S02-T1D-A

Explicación

RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02

Descripción detallada

RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 12.5dB 14dBm S02

Fabricación

CEL

Plazo de entrega estándar

Modelo edacad

Embalaje estándar

Inventario de proveedores

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Atributos del producto

Mfr

CEL

Series

-

Package

Tape & Reel (TR)

Product Status

Obsolete

Technology

GaAs HJ-FET

Frequency

12GHz

Gain

12.5dB

Voltage - Test

2 V

Current Rating (Amps)

88mA

Noise Figure

0.3dB

Current - Test

10 mA

Power - Output

14dBm

Voltage - Rated

4 V

Package / Case

4-SMD, Flat Leads

Supplier Device Package

S02

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0075

Otros nombres

-

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/RF FETs, MOSFETs/CEL NE3515S02-T1D-A

Documentos y medios de comunicación

Datasheets

1(NE3515S02)

PCN Obsolescence/ EOL

()

Cantidad y precio

-

Alternativas

-

Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#Wrong Part#

NE3515S02-T1D-A

Resumen del número de pieza

Atributos del producto

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Otros nombres

Categoría

Documentos y medios de comunicación

Cantidad y precio

Alternativas

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