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GermanyPHD77NQ03T,118
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
PHD77NQ03T,118
Explicación
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Descripción detallada
N-Channel 25 V 75A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount DPAK
Fabricación
NXP USA Inc.
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
2,500
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
NXP USA Inc.
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
860 pF @ 12 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
107W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DPAK
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
PHD77
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
PHD77NQ03T /T3-ND
934060505118
PHD77NQ03T /T3
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/NXP USA Inc. PHD77NQ03T,118
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(PHD,PHU77NQ03T)
Environmental Information
()
PCN Packaging
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML Datasheet
1(PHD,PHU77NQ03T)
Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IRLR8259TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 2,137
Precio unitario : $0.91000
Tipo de reemplazo : Similar
Cantidad disponible : 2,137
Precio unitario : $0.91000
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