Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
IRFD310
Explicación
0.4A 400V 3.600 OHM N-CHANNEL
Descripción detallada
N-Channel 400 V 350mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Fabricación
Harris Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
243
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 210mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFD310

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000

Otros nombres

2156-IRFD310
HARHARIRFD310

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRFD310

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(Datasheet)

Cantidad y precio

Cantidad: 243
Precio unitario: $1.24
Embalaje: Bulk
Multiplicador mínimo: 243

Alternativas

-