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GermanyBSC750N10NDGATMA1
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
BSC750N10NDGATMA1
Explicación
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
Descripción detallada
Mosfet Array 100V 3.2A 26W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
5,000
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 12µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 50V
Power - Max
26W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-PowerVDFN
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-4
Base Product Number
BSC750N10
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
BSC750N10NDGATMA1DKR
BSC750N10ND G-ND
BSC750N10ND GCT
BSC750N10NDGATMA1CT
BSC750N10NDG
SP000359610
BSC750N10ND GCT-ND
2156-BSC750N10NDGATMA1
BSC750N10ND GDKR-ND
BSC750N10ND G
IFEINFBSC750N10NDGATMA1
BSC750N10ND GTR
BSC750N10NDGATMA1TR
BSC750N10ND GTR-ND
BSC750N10ND GDKR
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies BSC750N10NDGATMA1
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
()
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Cantidad y precio
-
Alternativas
Modelo de producto : IPG16N10S461ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Cantidad disponible : 14,617
Precio unitario : $1.21000
Tipo de reemplazo : Similar
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Precio unitario : $1.21000
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