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GermanyAPTC90H12T2G
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
APTC90H12T2G
Explicación
MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2
Descripción detallada
Mosfet Array 900V 30A 250W Chassis Mount SP2
Fabricación
Microsemi Corporation
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
1
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Microsemi Corporation
Series
CoolMOS™
Package
Tray
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
FET Feature
Super Junction
Drain to Source Voltage (Vdss)
900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 100V
Power - Max
250W
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
SP2
Supplier Device Package
SP2
Base Product Number
APTC90
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
APTC90H12T2G-ND
150-APTC90H12T2G
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Microsemi Corporation APTC90H12T2G
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(APTC90H12T2G)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(APTC90H12T2G)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-