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GermanyIRL540NSPBF
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
IRL540NSPBF
Explicación
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 36A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
IRL540NSPBF Models
Embalaje estándar
50
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
*IRL540NSPBF
INFINFIRL540NSPBF
SP001558714
2156-IRL540NSPBF-IT
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRL540NSPBF
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(IRL540NS/L)
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Design Resources
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Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Design/Specification
1(Material Chg 24/Nov/2015)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRL540NS/L)
EDA Models
1(IRL540NSPBF Models)
Simulation Models
1(IRL540NSPBF Spice Model)
Cantidad y precio
-
Alternativas
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