Resumen del número de pieza

Número de pieza del fabricante
SISS40DN-T1-GE3
Explicación
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK
Descripción detallada
N-Channel 100 V 36.5A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
62 Weeks
Modelo edacad
Embalaje estándar
3,000
Inventario de proveedores

Atributos del producto

Mfr
Vishay Siliconix
Series
ThunderFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
845 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8S
Package / Case
PowerPAK® 1212-8S
Base Product Number
SISS40

Clasificaciones medioambientales y de exportación

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Otros nombres

SISS40DN-T1-GE3TR
SISS40DN-T1-GE3DKR
SISS40DN-T1-GE3CT

Categoría

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SISS40DN-T1-GE3

Documentos y medios de comunicación

Datasheets
1(SISS40DN)
PCN Assembly/Origin
1(Manufacturing Capacity Expansion 27/Jul/2023)
HTML Datasheet
1(SISS40DN)

Cantidad y precio

Cantidad: 9000
Precio unitario: $0.45086
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Cantidad: 6000
Precio unitario: $0.47268
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000
Cantidad: 3000
Precio unitario: $0.49631
Embalaje: Tape & Reel (TR)
Multiplicador mínimo: 3000

Alternativas

-