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Germany3N163-2
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
3N163-2
Explicación
MOSFET P-CH 40V 50MA TO72
Descripción detallada
P-Channel 40 V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
Fabricación
Vishay Siliconix
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250Ohm @ 100µA, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10µA
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.5 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
375mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-72
Package / Case
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Base Product Number
3N163
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix 3N163-2
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(3N163,3N164)
HTML Datasheet
1(3N163,3N164)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-