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GermanyAUIRF7341Q
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
AUIRF7341Q
Explicación
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Descripción detallada
Mosfet Array 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
95
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
780pF @ 25V
Power - Max
2.4W
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SOIC
Base Product Number
AUIRF7341
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Otros nombres
-
Categoría
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies AUIRF7341Q
Documentos y medios de comunicación
Datasheets
1(AUIRF7341Q)
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1(AUIRF7341Q)
Cantidad y precio
-
Alternativas
-