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GermanyCY7C1360S-200BGC
Resumen del número de pieza
Número de pieza del fabricante
CY7C1360S-200BGC
Explicación
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
Descripción detallada
SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mbit Parallel 200 MHz 3 ns 119-PBGA (14x22)
Fabricación
Infineon Technologies
Plazo de entrega estándar
Modelo edacad
Embalaje estándar
840
Inventario de proveedores
Atributos del producto
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
allaboutcomponents.com Programmable
Not Verified
Memory Type
Volatile
Memory Format
SRAM
Technology
SRAM - Synchronous, SDR
Memory Size
9Mbit
Memory Organization
256K x 36
Memory Interface
Parallel
Clock Frequency
200 MHz
Write Cycle Time - Word, Page
-
Access Time
3 ns
Voltage - Supply
3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature
0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
119-BGA
Supplier Device Package
119-PBGA (14x22)
Base Product Number
CY7C1360
Clasificaciones medioambientales y de exportación
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Otros nombres
CYPCYPCY7C1360S-200BGC
2156-CY7C1360S-200BGC
SP005648101
Categoría
/Product Index/Integrated Circuits (ICs)/Memory/Memory/Infineon Technologies CY7C1360S-200BGC
Documentos y medios de comunicación
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
PCN Packaging
()
Cantidad y precio
-
Alternativas
-